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台积电强调，CoWoS及整合扇出型封装（InFO）仍是2.5D IC封装，为了让芯片效能更强，芯片业花了相当的时间，开发体积小、功能更复杂的3D IC，这项技术需搭配难度更高的硅钻孔（TSV）技术，以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。
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考虑到市场和内部情况，三星将分阶段披露其投资计划。其中，首先宣布的是将于明年在京畿道华城校区完成的极紫外线（EUV）投资计划。 EUV是下一代半导体工艺技术，每台EUV设备价格超过2000亿韩元（1.7521亿美元）。全线运营需要超过30万亿韩元（262.8亿美元）。
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ASML是先的半导体设备厂商，随着工艺技术不断缩，三星在16日宣布5nm极紫外光（EUV）制程开发成功，并传今年将量产6nm，台积电傍晚也宣布推出6nm(N6)制程技术，并预计2020年一季度进入试产。DRAM也即将进入1znm，三星已成功研发出1znm DRAM，并预计于2019 年下半年开始大量生产，DRAM进入1znm节点将需要更精密的EUV设备延续摩尔定律，这离不开对ASML EUV设备的需求。
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